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- 发布日期：2024-01-10 17:05 点击次数：176
PD55025-E
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请参阅产品规格
编号：
511-PD55025-E
制造商编号：
PD55025-E
制造商：
STMicroelectronics
STMicroelectronics
客户编号:
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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¥-.--
总价:
¥-.--
定价 (含13% 增值税)数量 单价
总价
1 ¥243.6732 ¥243.67 10 ¥224.6327 ¥2，246.33 25 ¥188.3484 ¥4，708.71 100 ¥170.856 ¥17，085.60 400 ¥170.7769 ¥68，310.76 5，200 报价
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剪切带
产品从完整卷轴带切割成定制数量。
eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。
完整卷轴
订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按?的倍数订购。
卷轴和剪切带
以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。
卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。
特色产品
STMICROELECTRONICS
规格
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管极性: N-Channel 技术: Si Id-连续漏极电流: 7 A Vds-漏源极击穿电压: 40 V Rds On-漏源导通电阻: - 工作频率: 1 GHz 增益: 14.5 dB 输出功率: 25 W 最小工作温度: - 65 C 最大工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerSO-10RF-Formed-4 封装: Tube 商标: STMicroelectronics 通道模式: Enhancement 配置: Single 高度: 3.5 mm 长度: 7.5 mm 湿度敏感性: Yes Pd-功率耗散: 79 W 产品类型: RF MOSFET Transistors 系列: PD55025-E 工厂包装数量: 工厂包装数量: 400 子类别: MOSFETs 晶体管类型: LDMOS FET 类型: RF Power MOSFET Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 宽度: 9.4 mm 单位重量: 3 g
找到的产品:
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显示类似项 已选择的属性: 0
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REACH Statement (PDF) RoHS Certificate (PDF) Statement on Conflict Materials (PDF)
产品合规性
CNHTS: 8541210000 CAHTS: 8541290000 USHTS: 8541290075 JPHTS: 8541290100 KRHTS: 8541299000 TARIC: 8541210000 MXHTS: 85412101 ECCN: EAR99
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制造商零件编号
描述
库存
芯片采购平台176
