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我们用电桥测试变压器漏感时，要短路副边，测试原边得到的电感量则为漏感。你有想过为什么要短路副边，这样测试的原理是什么? 如图是理想变压器，理想变压器遵循以下公式： V2 = N2/N1*V1 N2：副边的匝数 N1：原边的匝数 但实际中变压器总是不理想的，总有一部分磁通不参与能量传递，在原边兴风作浪，产生很多不利影响。这部分不传递能量到副边的磁通产生的电感就是漏感，实际变压器的等效图如下： 等效图中漏感总是绕组串联的。为了测量绕组的电感量，我们使用电桥施加一定的频率一定的电压进行测量，测量原理

串联 在串联时，需要注意静态截止电压和动态截止电压的对称分布。 在静态时，由于串联各元件的截止漏电流具有不同的制造偏差，导致具有 漏电流的元件承受了 的电压，甚至达到擎住状态。但只要元件具有足够的擎住稳定性，则无必要在线路中采用均压电阻。只有当截止电压大于 1200V 的元件串联时，一般来说才有必要外加一个并联电阻。 假设截止漏电流不随电压变化，同时忽略电阻的误差，则对于 n 个具有给定截止电压 VR 的二极管的串联电路，我们可以得到一个简化的计算电阻的公式： 以上 Vm 是串联电路中电压的

mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同mos这个差距可能很大。 Mos损坏主要原因：过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压