1月23日消息，据报道，三星晶圆代工厂开始试产第二代3nm工艺SF3，这是三星半导体工业史上的重要里程碑事件，标志着三星将与台积电争夺先进工艺节点的霸主地位。

据了解，SF3节点可以在同一单元内实现不同的环栅（GAA）晶体管纳米片沟道宽度，从而提供更大的设计灵活性，为芯片带来更低的功耗和更高的性能，kemet(基美)钽电容器 并通过优化设计增加晶体管密度。

SF3工艺能够生产更高效、更强大的芯片，这将推动人工智能、物联网和汽车等各个领域的发展。

据报道，三星预计在未来6个月时间内，让SF3的工艺良率提高到60%以上。三星SF3工艺会率先应用到可穿戴设备处理器上，三星Galaxy Watch 7系列有望搭载SF3工艺芯片。

值得注意的是，三星明年商用的Exynos 2500手机芯片将会使用SF3工艺，这颗芯片将由Galaxy S25系列首发搭载。

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