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标题:onsemi安森美FGH40T65SHDF-F155芯片IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3技术与应用介绍 onsemi安森美FGH40T65SHDF-F155芯片是一款高性能的IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3器件,它以其独特的特性在电力电子领域中发挥着重要的作用。 首先,我们来了解一下这款芯片的特点。FGH40T65SHDF-F155芯片采用了先进的650V技术,能够承受高达80A的电流,同时保持低导通电阻,从而实现了高效、快
标题:onsemi ISL9V3040S3ST芯片IGBT 430V 21A TO263AB的技术与应用介绍 onsemi ISL9V3040S3ST芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),它具有430V 21A的额定电压和电流,以及TO-263AB的封装形式。这种新型的功率半导体器件在许多领域都有着广泛的应用,包括电力转换、电机驱动、逆变器、充电桩等。 ISL9V3040S3ST芯片的特点在于其出色的开关速度和热效率。它的开启和关闭速度非常快,这使得它非常适合用于需要频繁开关的场合,
标题:onsemi安森美FGD3050G2芯片IGBT 500V 27A DPAK-3的技术与应用介绍 onsemi安森美FGD3050G2芯片IGBT 500V 27A DPAK-3是一种高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),广泛应用于各种电子设备中,如电力转换器、电机驱动器、加热器和电源模块等。 技术特点: 1. 高压、大电流设计,适用于高功率应用场景; 2. 快速开关特性,能够快速响应负载变化,提高效率; 3. 高可靠性和耐久性,适用于恶劣工作环境; 4. 集成度高,采用DPAK封装,减
标题:onsemi ISL9V3040D3ST芯片IGBT 430V 21A TO252AA的技术和应用介绍 onsemi ISL9V3040D3ST芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),采用TO252AA封装,适用于各种电源应用领域。该芯片具有430V的额定电压和高达21A的额定电流,适用于需要高效、可靠和安全电源转换的场合。 技术特点: 1. 430V的额定电压和高达21A的额定电流,适用于各种电源应用领域。 2. 采用先进的IGBT技术,具有更高的开关速度和效率。 3. 内置的
标题:onsemi安森美FGH60N60SMD芯片IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247的技术与应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司,其FGH60N60SMD芯片是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管)芯片,具有600V和120A的规格,适用于大功率开关和转换应用。 技术特点: 1. 这款芯片采用了先进的IGBT技术,具有高开关速度和低损耗的特点,适用于各种工业和电源应用。 2. 它具有出色的热性能和可靠性,能够承受高电流和高电压的负载,同时保持稳定
标题:onsemi安森美FGA60N65SMD芯片IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P的技术与应用介绍 onsemi安森美FGA60N65SMD芯片是一款高性能的IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P,它是一种重要的功率半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。 首先,我们来了解一下这款芯片的技术特点。它采用了先进的650V技术,能够承受高达650V的电压,具有出色的耐压性能。同时,它还具有120A的电流容量,适用于各种大功率应用场景。此外,该芯片还采
标题:onsemi安森美HGTG11N120CND芯片IGBT NPT 1200V 43A TO247-3技术与应用介绍 onsemi安森美HGTG11N120CND芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),适用于各种工业应用和高电压大电流的电源系统。该芯片采用TO247-3封装,工作电压高达1200V,最大电流达43A,具有高输入阻抗、快速开关特性、低导通压降等优点。 技术特点: * 高输入阻抗:HGTG11N120CND芯片具有高输入阻抗,降低了功耗,提高了电源效率。 * 快速开关
标题:onsemi FGHL40T65MQDT芯片FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO24技术与应用介绍 onsemi安森美FGHL40T65MQDT芯片是一款适用于中速(FS4)IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的650V 40A TO-24封装产品。该芯片以其高效率、高可靠性、低噪音和良好的热特性,广泛应用于各种电源和电机控制领域。 技术特点: * 650V 40A的耐压和电流规格,保证了芯片在高温和高压环境下仍能保持稳定的工作状态; * 中速(FS4)设计,适用于中功
标题:onsemi FGHL50T65SQ芯片:FS4TIGBT TO247 50A 650V的技术与应用详解 onsemi安森美FGHL50T65SQ芯片是一款高性能的FS4TIGBT TO247 50A 650V器件,它以其卓越的性能和广泛的应用领域,在电力电子领域中发挥着至关重要的作用。 FGHL50T65SQ芯片采用了先进的半导体技术,具有高耐压、大电流和高效率等特点。其TO247封装形式使得该芯片在空间有限的应用场景中具有出色的适应性。此外,该芯片还具有出色的热性能和可靠性,使其在各
标题:onsemi ISL9V3040P3芯片IGBT 430V 21A TO220-3技术与应用介绍 onsemi ISL9V3040P3芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),采用TO220-3封装,适用于各种电子设备中高效率、高功率的电源转换应用。 技术特点: * 430V 耐压,高达21A的导通电流; * 快速开关特性,有助于降低损耗和提高系统效率; * 内置阻尼网络,有效抑制开关噪声,提高电源的可靠性; * 集成度高,简化了电路设计,降低了生产成本。 应用领域: * 工业电