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标题:onsemi品牌LC706203CM传感器芯片MIC MEMS DIGITAL技术与应用介绍 onsemi品牌以其卓越的品质和出色的技术而闻名,其中LC706203CM传感器芯片就是其杰出的代表之一。LC706203CM是一款采用MIC MEMS DIGITAL技术的数字传感器芯片,具有广泛的应用前景和独特的优势。 MIC MEMS技术是一种新型的微机械加工技术,它通过将传感器元件集成在微米级的机械结构上,实现了高精度、低噪声的测量。LC706203CM正是利用了这种技术,使其在温度、压
标题:onsemi FGHL75T65MQDTL4芯片:FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24技术详解及应用介绍 onsemi安森美FGHL75T65MQDTL4芯片是一款高性能的FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24。这款芯片以其出色的性能和广泛的应用领域,在电力电子领域中占据着重要的地位。 FGHL75T65MQDTL4芯片采用了先进的650V技术,能够承受高达75A的电流,提供了出色的功率转换效率。其TO24封装设计,使得芯片具有较高的
标题:onsemi安森美FGH75T65UPD芯片IGBT 650V 150A 375W TO-247AB的技术和应用介绍 onsemi安森美FGH75T65UPD芯片是一款高性能的IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 650V 150A 375W TO-247AB封装产品,具有广泛的技术和应用前景。 技术特性方面,FGH75T65UPD采用了先进的IGBT技术,具有更高的开关速度和更低的功耗。其650V的电压规格能够承受较大的电流和功率,适用于各种
标题:onsemi FGHL50T65MQDTL4芯片:FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24的技术与应用介绍 onsemi安森美FGHL50T65MQDTL4芯片是一款高性能的FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24。该芯片以其卓越的性能和广泛的应用领域,在电力电子领域中发挥着重要的作用。 FGHL50T65MQDTL4芯片采用了先进的半导体技术,具有高耐压、大电流和高效率等特点。其独特的结构设计,使得其在各种恶劣环境下仍能保持良好的性能。此
标题:onsemi安森美FGHL50T65MQDT芯片:FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24的技术与应用介绍 安森美(onsemi)FGHL50T65MQDT芯片是一款高性能的FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24。这款芯片以其卓越的性能和广泛的应用领域,在电力电子领域中占据着重要的地位。 技术特点: 1. 芯片采用先进的650V SiC技术,确保高效率和高可靠性。 2. 芯片内部集成有栅极驱动和保护功能,简化电路设计。 3. 芯片具有高速
标题:onsemi安森美FGHL50T65MQD芯片IGBT 650V 50A TO247的技术和应用介绍 onsemi安森美FGHL50T65MQD芯片是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管),其特点是650V的电压规格和高达50A的电流输出。这款芯片广泛应用于各种电子设备中,特别是在电力转换和控制领域。 技术特点: 1. 650V的电压规格使得FGHL50T65MQD芯片能够承受更高的电压,增强了系统的稳定性和可靠性。 2. 50A的电流输出意味着芯片可以有效地控制大电流的流动,适用于各
标题:onsemi安森美FGHL40T65MQD芯片IGBT 650V 40A TO247的技术和应用介绍 安森美(onsemi)FGHL40T65MQD芯片IGBT 650V 40A TO247是一种高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),其应用广泛,包括电力转换、电力电子和电机驱动等领域。 技术特点: 1. 额定电压高达650V,电流容量为40A,适用于各种大功率应用场景。 2. 采用TO247封装形式,具有小型化、轻量化和高可靠性的特点。 3. 内置热敏电阻,能够快速检测并处理过热情况,保
标题:onsemi安森美FGH40T65SHD-F155芯片IGBT 650V 80A 268W TO-247技术与应用介绍 安森美(onsemi)作为全球知名的半导体供应商,其FGH40T65SHD-F155芯片IGBT 650V 80A 268W TO-247器件在电力电子领域具有广泛的应用。本文将围绕该器件的技术特点、应用领域以及实际应用案例展开介绍。 一、技术特点 FGH40T65SHD-F155芯片IGBT具有650V的额定电压和80A的额定电流,同时具有268W的峰值功率。该器件采
标题:onsemi安森美FGA40T65SHD芯片IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN技术与应用介绍 onsemi安森美FGA40T65SHD芯片是一款应用于650V平台的高效能IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,其具有80A的额定电流,采用TO3PN封装形式,适用于各种工业应用领域。 技术特点: 1. 高频响应:该芯片在高频领域表现出色,适用于电机驱动、逆变器等高频率应用场景。 2. 高效能:FGA40T65SHD芯片具有较高的开关速度和较低的损耗,有助于提高系统效率。
标题:onsemi安森美FGI3040G2-F085芯片:ECOSPARK 2-400V IGNITION IGBT的技术与应用详解 onsemi安森美FGI3040G2-F085芯片是一款高性能的IGNITION IGBT,以其卓越的性能和广泛的应用领域而备受瞩目。ECOSPARK 2-400V IGNITION IGBT的出色特性使其在汽车电子领域中发挥着至关重要的作用。 技术特点: 1. 高压性能:FGI3040G2-F085芯片具备出色的高压性能,能够承受高达400V的电压,为汽车点火